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Mostfets in Wide-Lead-Gehäuse verringern Leitungswiderstand

Der Hersteller von Power-Management-Technologie International Rectifier (IR) wird eine Familie von automotivequalifizierten Mosfets (Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor; englisch metal oxide semiconductor field-effect transistor, Mosfet) in den Markt einführen. Diese sind in einem Wide-Lead-TO-262-Gehäuse untergebracht. Es soll den Leitungswiderstand im Vergleich zu herkömmlichen TO-262-Gehäusen um 50 Prozent reduzieren und gleichzeitig einen um 30 Prozent höheren Strom bieten, gibt der Hersteller an.

Entwickelt wurden die neuen Automotive-Mosfets für allgemeine Durchsteck-Anwendungen im Schwerlast-/Hochleistungsbereich, die einen niedrigen Einschaltwiderstand (Rds(on)) benötigen. Ebenfalls sind sie für elektrische Servolenkungen sowie für Batterieschalter zum Einsatz in Kraftfahrzeugen mit Verbrennungsmotor sowie in Mikro- und Vollhybrid-Fahrzeugen gedacht. Sie sollen durch die Kombination der Silizium- sowie der Packaging-Technologien des Herstellers Leistungssteigerungen gewährleisten, und dabei mit den existierenden Entwicklungsstandards kompatibel sein.

Das neue Wide-Lead-TO-262-Durchsteckgehäuse senkt den Leitungswiderstand auf weniger als ein halbes Milliohm. Das soll die Leitungsverluste sowie die Erwärmung in den Zuleitungen verringern. Auf diese Weise bieten sie bei einer gegebenen Betriebstemperatur eine um 30 Prozent höhere Strombelastbarkeit als ein herkömmliches TO-262-Gehäuse, erklärt das Unternehmen. Im Zuge einer Bewertung war die Leitungstemperatur des Wide-Lead-Gehäuses bei einem Gleichstrom von 40 Ampere um 30 Prozent kühler als die des Standard TO-262, und bei 60 Ampere um 39 Prozent, gibt der Hersteller von Power-Management-Technologie an. Hinzu komme, dass das Wide-Lead infolge weiterer Gehäuseverbesserungen in der Lage sei, einen im Vergleich zu demselben Mosfet in einem Standard TO-262 Gehäuse um 20 Prozent niedrigeren Rds(on) zu liefern.
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