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Infineon entwickelt schnellste Silizium-Chips der Welt

In den Münchner Labors des deutschen Halbleiterherstellers Infineon Technologies haben Forscher die wohl schnellsten Silizium-Chips der Welt entwickelt. Die Elektronikbausteine mit der Infineon-eigenen "Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie" erreichen nach Angaben der Wissenschaftler eine Betriebsfrequenz von 110 Gigahertz bei minimaler Stromaufnahme. Demgegenüber stehen zum Vergleich ganze 4 Gigahertz, mit denen Prozessoren für Personal Computer in Silizium-CMOS-Technologie arbeiten. In der Automobiltechnik eigneten sich die schnellen Silizium-Chips etwa für Systeme zur Abstandswarnung und Kollisionsvermeidung durch Radar.

Diese Sicherheitsausrüstung könnte nach Angaben der Entwickler mit der neuen Infineon-Technologie sehr viel preisgünstiger, zuverlässiger und vor allem "intelligenter" realisiert werden. Die neuen Elektronikbausteine ermöglichen es beispielsweise, den Radarsignalen zusätzlich eine individuelle Kennung aufzuprägen, um sie unempfindlich gegen Störsignale anderer Autos zu machen. Die gewonnene Zuverlässigkeit ließe sich für mehr Komfort und mehr Sicherheit nutzen, etwa für "Stop-and-Go-Automaten", die dem Autofahrer das ständige Nachrücken im Stau erleichtern. "Die Entwicklung dieser Bauelemente für 100 Gigahertz und mehr erlaubt es unseren Kunden, eine neue Klasse von Produkten für Höchstfrequenz-Anwendungen zu entwickeln und kostengünstig herzustellen", wirbt Dr. Werner Simbürger von der Infineon-Forschungsabteilung für Hochfrequenz-Schaltungen.

Je nach Schaltungsfunktion sollen die neuen Hochfrequenz-Chips um zehn bis dreißig Prozent schneller sein als andere Schaltkreise auf dem Markt. Sie sind zunächst für die Kommunikationstechnik gedacht, bei der höchste Übertragungsfrequenzen die Übermittlung von mehr Daten in kürzerer Zeit erlauben. Bislang waren diese hohen Frequenzen ausschließlich relativ teuren Bauelementen aus Galliumarsenid vorbehalten. Silizium hingegen kostet deutlich weniger und lässt sich darüber hinaus in erprobten Prozessen verarbeiten. Für die "Weltrekord-Chips" benutzen die Forscher Silizium, das mit Germanium-Atomen angereichert (dotiert) wurde. Die Silizium-Germanium-Bipolar-Technologie hat laut Infineon bereits Schaltzeiten von 3,7 Picosekunden (billionstel Sekunden, 10 mit einer "-12" im Exponenten) erreicht. In dieser Zeit bewegt sich Licht, das sonst in einer vollen Sekunde problemlos die Strecke Erde-Mond zurücklegt, nur einen Millimeter weit. (Quelle Abbildung: Infineon Technologies AG) Metadaten anzeigen: Autor verbergen | Schlagworte